Postać wielościanu, jaką przybiera kryształ swobodnie narastający w ośrodku ciekłym lub gazowym, stanowi również wyraz zewnętrzny jego anizotropii, a mianowicie różnej szybkości narastania w różnych kierunkach. Szybkość narastania w kierunkach równoległych jest natomiast zawsze jednakowa, tak iż poszczególne ściany pozostają podczas wzrostu kryształu równoległe do swoich poprzednich położeń. Na rysunku 55 przedstawiającym schematycznie proces narastania różnych ścian kryształu, odcinek xy jest miarą szybkości narastania ściany AB, odcinek uv — ściany BC, wz — ściany CD itd. Z rysunku widać, że ściany narastające z największą szybkością ulegają zanikowi, a do największego rozwoju dochodzą ściany o najmniejszej szybkości narastania. W ten sposób kryształy tej samej substancji mogą przybierać bardzo rozmaitą postać zewnętrzną, zawsze jednak kąty dwuścienne pomiędzy analogicznymi ścianami pozostają niezmienne w stałej temperaturze.
Read More